SFT1341
--10
ID -- VDS
--10
ID -- VGS
--3
--9
.5
V
--9
VDS= --10V
--8
--7
--2
.5V
--1
.
8V
--8
--7
--6
--5
--4
--3
--2
--1.5V
--6
--5
--4
--3
--2
--1
VGS= --1.2V
--1
0
0
--0.1
--0.2
--0.3
--0.4
--0.5
--0.6
--0.7
--0.8
--0.9
--1.0
0
0
--0.5
--1.0
--1.5
--2.0
--2.5
--3.0
300
Drain-to-Source Voltage, VDS -- V
RDS(on) -- VGS
IT14522
300
Gate-to-Source Voltage, VGS -- V
RDS(on) -- Tc
IT14523
280
260
240
220
ID= --2.5 A
Ta=25°C
280
260
240
220
= --2
.8V
.0A
= --1 = --5
VGS V, I D
= --2
= --5
= --4
200
180
160
140
120
100
80
60
40
20
--5A
200
180
160
140
120
100
80
60
40
20
VGS
, ID
VGS .5 V, I D
.5A
.5 .0A
0
0
--1
--2
--3
--4
--5
--6
--7
--8
--9
--10
0
--60
--40
--20
0
20
40
60
80
100
120
140
160
Gate-to-Source Voltage, VGS -- V
3
2
| y fs | -- ID
IT14524
VDS= --10V
3
2
Case Temperature, Tc -- ° C
IS -- VSD
IT14525
VGS=0V
10
7
--10
7
5
° C
° C
5
3
2
1.0
7
Ta
=
--2
5 ° C
75
25
3
2
--1.0
7
5
3
2
5
3
2
--0.1
7
5
3
0.1
7
--0.01
2
3
5 7 --0.1
2
3
5 7 --1.0
2
3
5 7 --10
2
--0.01
0
--0.2
--0.4
--0.6
--0.8
--1.0
--1.2
--1.4
5
3
Drain Current, ID -- A
SW Time -- ID
IT14526
VDD= --20V
VGS= --4.5V
3
2
Diode Forward Voltage, VSD -- V
Ciss, Coss, Crss -- VDS
IT14527
f=1MHz
2
100
7
td (off)
tf
1000
7
5
Ciss
5
3
3
2
tr
2
10
7
5
td(on)
100
7
5
Coss
Crss
3
--0.1
2
3
5
7 --1.0
2
3
5
7 --10
2
3
3
0
--2
--4
--6
--8
--10
--12
--14
--16
--18
--20
Drain Current, ID -- A
IT14528
Drain-to-Source Voltage, VDS -- V
IT14529
No. A1444-3/9
相关PDF资料
SFT1342-E MOSFET P-CH 60V 12A TP
SFT1342-TL-E MOSFET P-CH 60V 12A TP-FA
SFT1345-H MOSFET P-CH 100V 11A TP
SFT1350-TL-H MOSFET P-CH 40V 19A TP-FA
SFT1423-E MOSFET N-CH 500V 2A TP
SFT1423-TL-E MOSFET N-CH 500V 2A TP-FA
SFT1431-E MOSFET N-CH 35V 11A TP
SFT1431-TL-E MOSFET N-CH 35V 11A TP-FA
相关代理商/技术参数
SFT1342 制造商:SANYO 制造商全称:Sanyo Semicon Device 功能描述:P-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device Applications
SFT1342-E 功能描述:MOSFET PCH 4V DRIVE SERIES RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SFT1342-TL-E 功能描述:MOSFET SWITCHING DEVICE RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SFT1345 制造商:SANYO 制造商全称:Sanyo Semicon Device 功能描述:General-Purpose Switching Device Applications
SFT1345-H 功能描述:MOSFET PCH 4V DRIVE SERIES RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SFT1345-TL-H 功能描述:MOSFET P-CH SWITCHING TP RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:* 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
SFT1350 制造商:SANYO 制造商全称:Sanyo Semicon Device 功能描述:General-Purpose Switching Device Applications
SFT1350-H 功能描述:MOSFET PCH 4.5V DRIVE SERIES RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube